Samsung desarrolla un chip NAND de 400 capas para unidades SSD de alta capacidad

Samsung sigue reafirmando su posición de liderazgo en la carrera tecnológica con su plan para fabricar chips de memoria NAND apilados de 400 capas, cuyo lanzamiento está previsto para 2026. Este avance pionero allanará el camino para las unidades SSD de capacidad ultraalta, que satisfarán las enormes demandas de almacenamiento de datos de la inteligencia artificial (IA).

En la actualidad, Samsung tiene puestas grandes esperanzas en su chip NAND V10 de 10ª generación, desarrollado con la avanzada tecnología BV NAND. Esta tecnología permite la producción de células de memoria y circuitos periféricos en obleas separadas, que luego se combinan en un chip completo. Este método minimiza la emisión de calor y optimiza el rendimiento. La densidad de bits por unidad de superficie del chip NAND V10 es 1,6 veces superior a la de la generación anterior, lo que permite fabricar unidades SSD de capacidad ultraalta, que podrían superar el umbral de los 200 TB. Esta será una solución ideal para las aplicaciones de IA que requieren una capacidad de procesamiento de datos masiva.

Más allá del chip NAND de 400 capas, Samsung ha trazado una ambiciosa hoja de ruta de desarrollo, con el objetivo de lanzar el chip NAND V11 con velocidades de transferencia de datos un 50% más rápidas en 2027 e incluso desarrollar chips NAND con más de 1.000 capas en 2030 para reforzar su liderazgo en el mercado.

Además de la NAND, Samsung también se está centrando en el desarrollo de nuevas líneas de DRAM, con el objetivo de lograr tamaños compactos por debajo de los 10 nm y un rendimiento superior. Con estos incesantes esfuerzos, el gigante tecnológico surcoreano está ayudando a dar forma al futuro de la tecnología de almacenamiento, introduciendo a la humanidad en la era de la IA con un potencial de procesamiento de datos "ilimitado".

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